本文源自:金融界
金融界 2024 年 12 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市迪浦电子有限公司申请一项名为“一种新型碳化硅 MOSFET 器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119108430 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种新型碳化硅 MOSFET 器件及其制造方法，新型碳化硅 MOSFET 器件包括 N+型重掺杂碳化硅衬底、P 型埋层、N‑型轻掺杂一次外延、二氧化硅埋层、P‑型轻掺杂二次外延、多晶硅深槽、N+型重掺杂源区、栅氧化层、多晶硅栅极、介质层、正面金属和背面金属，不同于传统碳化硅功率 MOSFET 器件的结构和工艺流程，避免了 P 型阱区受长时间高温横向扩散导致沟道长度不稳定的因素，提高了栅氧质量和可靠性；同时缩小了单个器件的面积大小，提高了集成度，可以在同一片晶圆片上制造更多的器件，降低了制造成本，新的结构还可以降低器件的导通电阻，提高开关速度，减少功耗。
