本文源自:金融界
金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器”的专利，公开号 CN 119108419 A，申请日期为 2023 年 6 月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法、存储器，涉及半导体技术领域，用于解决栅极对沟道控制能力差的技术问题，该半导体结构包括柱状的第一栅极、半导体层和环状的第二栅极，第一栅极沿第一方向延伸；半导体层包覆第一栅极的至少部分外周面；第二栅极包覆半导体层的至少部分外周面；第二栅极在半导体层上投影区域为沟道区；其中，半导体层中位于沟道区两侧的区域分别为源极区和漏极区；第一栅极与半导体层之间，以及第二栅极与半导体层之间均设置有栅介质层。本公开通过双栅极的设置，可以提高栅极对沟道区的控制能力。
