本文源自:金融界
金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，苏州聚谦半导体有限公司申请一项名为“增强抗栅锁性能的分裂栅功率MOSFET和制造方法”的专利，公开号CN 119108410 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种增强抗栅锁性能的分裂栅功率MOSFET和制造方法，分裂栅功率MOSFET包括：设于衬底上的第一种掺杂类型的半导体层；设于半导体层中的两个栅沟槽，栅沟槽中自下而上形成有屏蔽栅极、隔离层和控制栅极；设于两个栅沟槽之间的半导体层中的第二种掺杂类型的体区，和相隔设于体区下方的第一种掺杂类型的埋层，埋层中的杂质浓度大于埋层以外的半导体层中的杂质浓度，且埋层的底部在纵向上高于栅沟槽的底部。本发明能显著提高器件的抗栅锁能力，同时可进一步降低导通电阻，因此能提高SGT器件的综合性能，有利于高功率领域的应用，尤其适用于高感抗负载的场景。
