浙江智邦申请一种增强界面兼容性的聚硅氧烷基固态电解质及其制备方法专利,提高电解质与电极材料的界面相容性

浙江智邦申请一种增强界面兼容性的聚硅氧烷基固态电解质及其制备方法专利,提高电解质与电极材料的界面相容性
2024年12月12日 21:15 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,浙江智邦锂电新材料有限公司申请一项名为“一种增强界面兼容性的聚硅氧烷基固态电解质及其制备方法”的专利,公开号 CN 119108623 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明公开了一种增强界面兼容性的聚硅氧烷基固态电解质制备方法,其包括以下步骤:S1:将2,3,7,8‑吩嗪四胺盐酸盐进行胺基保护反应,然后与溴代三烷基硅烷和烷基锂进行取代反应,最后脱Boc保护基反应,得到吩嗪四胺衍生物;S2:将其与含有醛基的第二COF单体反应形成接枝有三烷基硅烷的COF颗粒;S3:将其与聚硅氧烷、锂盐和溶剂混合均匀后涂覆在基底上,固化后得到聚硅氧烷基固态电解质。本发明的制备方法不仅提高了电解质与电极材料的界面相容性,降低了界面阻抗,而且通过化学修饰和材料复合策略,显著提升了电解质的机械强度、化学稳定性以及离子传输效率,满足了高能量密度和高安全性电池的长期耐久性和稳定性需求。

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