本文源自:金融界
金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，北京清芯微储能科技有限公司申请一项名为“一种低沟槽大功率的MOS器件”的专利，公开号CN 119133213 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低沟槽大功率的MOS器件，包括由若干个相互并联排列的MOS元胞构成，所述MOS元胞包括金属源极、栅极、半导体外延层以及漏极；其中，所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层；所述N阱层包括重掺杂N阱层一和轻掺杂N阱层二；所述P阱层包括重掺杂P阱层一、重掺杂P阱层二、重掺杂P阱层三、轻掺杂P阱层一以及轻掺杂P阱层二。本发明通过将轻掺杂P阱层设在栅极的左右下角处，避免了出现背景中所述将轻掺杂P阱层连带栅氧层一同击穿的现象，从而实现MOS器件在大功率设备中稳定的使用。
