本文源自:金融界
金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“NORD闪存存储器、版图及其写入方法、读取方法”的专利，公开号CN 119136543 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供NORD闪存存储器、版图及其写入方法、读取方法，NORD闪存存储器版图中相邻的字线之间设置有一条共用的源线，每条字线两侧设置有平行的第一控制栅和第二控制栅，通过只使用共用字线的两个位单元中的一个，虽然只利用一半的位单元，但在源线和位线之间施加电压能够使有源区面积可以减少一半，因此，器件面积基本不变；由于改变了NORD闪存存储器的写入、擦除和读取数据的加压方式以及只使用共用字线的两个位单元中的一个，改善了NORD闪存存储器的写入干扰和读取干扰，使NORD闪存存储器的可靠性大大提升。
