本文源自:金融界
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“加热盘及薄膜沉积设备”的专利，公开号 CN 119252771 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种加热盘及薄膜沉积设备，该加热盘包括：盘体、盘柄和至少一组抽气流道，所述盘柄连接于所述盘体的中心，所述盘体的中心在所述盘体的垂直投影方向上具有盘柄投影区，所述抽气流道包括第一抽气孔、第二抽气孔和连接流道，所述第一抽气孔设于所述盘体上，所述第二抽气孔设于所述盘柄上，所述连接流道设于所述盘体和/或所述盘柄上，所述第一抽气孔通过所述连接流道与所述第二抽气孔连通；其中，所述第一抽气孔设于所述盘柄投影区之外。由此，使得第一抽气孔远离第二抽气孔，避开盘柄投影区，减少气体流动带走的热量，改善了盘柄投影区的温度偏低的情形，避免了加热盘因为外热内冷导致的碎裂。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币，实缴资本36168.02万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目11次，知识产权方面有商标信息1条，专利信息199条，此外企业还拥有行政许可7个。
