本文源自:金融界
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，广西飓芯科技有限责任公司申请一项名为“一种氮化镓半导体器件的制备方法”的专利，公开号 CN 119300396 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种氮化镓半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底的衬底件，在所述衬底件的顶部沉积形成缓冲层，在所述缓冲层的顶部气相沉积氮化镓层，在所述氮化镓层的顶部形成沟道层，在所述沟道层的顶部表面形成势垒层，在所述势垒层的顶部气相沉积氮化镓铝层，在所述氮化镓铝层的顶部生长一层P型帽层，在所述氮化镓铝层与P型帽层的顶部沉积形成钝化层。该氮化镓半导体器件的制备方法，通过在势垒层的内部和顶部表面形成第一掺杂层和第二掺杂层，能够增加沟道电子浓度或减少势垒层表面态密度在氮化镓铝层的顶部生长一层较薄的P型帽层，P型帽层和钝化层可以很好地改善电流崩塌效应。
天眼查资料显示，广西飓芯科技有限责任公司，成立于2020年，位于柳州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10300万人民币，实缴资本10300万人民币。通过天眼查大数据分析，广西飓芯科技有限责任公司参与招投标项目9次，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可19个。
