本文源自:金融界
金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN 119364765 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善在制作过程中，损害三维存储器的问题。本公开提供的三维存储器包括叠层结构和沟道结构。叠层结构包括交替层叠设置的栅极层和介质层。沟道结构贯穿叠层结构。其中，栅极层包括栅导电层和栅阻挡层，栅阻挡层至少位于栅导电层和沟道结构之间，栅导电层的材质包括Mo。本公开的栅导电层能够避免使用金属钨，在三维存储器的制作过程中能够避免WF6作为前驱体，因此，有利于改善在制作过程中，损害三维存储器的问题，有利于保护三维存储器，避免三维存储器被损害。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1391次，知识产权方面有商标信息947条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。
