本文源自:金融界
金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119866045 A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括：第一半导体层、位于第一半导体层表面的绝缘层以及位于绝缘层上的第二半导体层，衬底包括：沿平行于衬底表面的第一方向排布的相邻的第一区域和第二区域；位于沟道区两侧的第一区域内的源漏通孔，源漏通孔暴露出绝缘层表面；位于源漏通孔内的源漏结构；位于第二区域内的栅极通孔，栅极通孔与沟道区相邻，且栅极通孔暴露出绝缘层表面；位于栅极通孔内的栅极结构。源漏通孔与栅极通孔在垂直于衬底表面的方向上的尺寸相等，使得栅极结构与源漏结构位于同层，减小了器件的纵向尺寸，提高制成工艺的均一性和稳定性，进而提高器件性能稳定性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。
