华为申请芯片相关专利,避免对金属硅化物层产生刻蚀

华为申请芯片相关专利,避免对金属硅化物层产生刻蚀
2025年05月15日 21:17 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2025年5月15日消息,国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司申请一项名为“一种芯片、其制作方法及电子设备”的专利,公开号CN119993954A,申请日期为2023年11月。

专利摘要显示,本申请提供一种芯片、其制作方法及电子设备,芯片包括晶体管、金属硅化物层、刻蚀停止层、层间介质层和多个第一接触孔,金属硅化物层至少设于晶体管的源极和漏极之上,第一接触孔贯穿刻蚀停止层和层间介质层;芯片还包括阻挡层,阻挡层设于金属硅化物层与刻蚀停止层之间,在刻蚀停止层的刻蚀条件下,刻蚀停止层的刻蚀速率大于阻挡层的刻蚀速率。这样在对刻蚀停止层进行刻蚀时,可以有利于避免对阻挡层产生刻蚀,使得阻挡层可以起到停止刻蚀的作用,避免对金属硅化物层产生刻蚀,对金属硅化物层进行了保护,即使金属硅化物层较薄时也不会影响到晶体管中的源极和漏极,对源极和漏极起到了保护作用,从而提高了芯片的制作良率。

天眼查资料显示,华为技术有限公司,成立于1987年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4094113.182万人民币。通过天眼查大数据分析,华为技术有限公司共对外投资了51家企业,参与招投标项目5000次,财产线索方面有商标信息5000条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可1536个。

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