本文源自:金融界
金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深沟槽超结的形成方法”的专利，公开号CN120076384A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种深沟槽超结的形成方法，包括：在元胞区和划片槽区的衬底内分别形成第一深沟槽和第二深沟槽；在部分深度的第一深沟槽和部分深度的第二深沟槽内均形成单晶硅层；在剩余的第一深沟槽和剩余的第二深沟槽内均形成第一硬质掩膜层，第一硬质掩膜层同时覆盖衬底的表面，第一硬质掩膜层填充满剩余的第一深沟槽，并在第二深沟槽处形成凹槽；以凹槽为第一对准标记，在第一深沟槽两侧的元胞区的衬底内形成第一浅沟槽，以及在划片槽区的衬底内形成第二浅沟槽；在第一浅沟槽内依次形成第一栅氧化层和第一栅极，在第二浅沟槽内依次形成第二栅氧化层和第二栅极，第二栅极和第二栅氧化层作为第二对准标记。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目869次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
