营收和营业利润都超过此前市场预期。
10月28日，SK海力士（000660.KS）发布2026年第三季度财报，该季度营收104.6155万亿韩元（约人民币5220亿元），同环比分别增长328%、32%；营业利润83.3338万亿韩元（约人民币4158亿元），同环比分别增长632%、38%；净利润39.7756万亿韩元（约人民币1984亿元），同比增长216%，环比减少58%。
该季度营收和营业利润均创SK海力士史上季度最高纪录，季度营收首次突破100万亿韩元，营收和营业利润都超过此前市场预期。该季度营业利润率则为80%，净利润率为38%。
据该公司介绍，该季度DRAM（动态随机存取存储器）业绩增长有HBM4（HBM为高带宽内存）出货、服务器DDR5销售增长的拉动。NAND闪存方面，该季度321层TLC企业级固态硬盘销售有所扩大，面向数据中心的高附加值产品保持增长态势。
SK海力士展望存储市场需求，称供给端未能跟上市场增长速度，由于先进制程技术难度提升、新建生产设施耗时较长，预计到2030年为止，供不应求的局面将持续。此外，AI带来的生产效率提升和营收增长推动AI使用量增加，带动基础设施投资扩大，这一良性循环结构已确立，预计全球AI数据中心基础设施市场将持续增长。
中长期需求方面，SK海力士称，已与大型云服务提供商（CSP）等14家主要客户签署了LTA（长期供应协议），与部分客户就延长通常为5年的协议期限方案进行提前磋商。目前已锁定的LTA供应量相当于2027年和2028年总产能的50%以上。这类LTA协议采用在客户商定价格范围内反映市场行情的方式。
为应对需求增长，SK海力士预计明年龙仁一期晶圆厂将投产，明年公司对基础设施的投资规模将大幅增加。
HBM方面，SK海力士计划今年年底前将生产HBM4的M15X工厂产能提升至最大水平，并预计第四季度HBM4的出货量和收入将超过前一代的HBM3E。SK海力士将第六代10纳米级（1c）工艺作为DRAM产品的主力制程。NAND闪存方面，该公司计划第四季度将321层工艺的比重提升至韩国本土产能的50%以上，以增加高性能企业级固态硬盘的供应。
SK海力士还同步公布了追加股东回报方案：将以2026财年为基准，推进约100万亿韩元规模的股东回报，其中现金分红30万亿韩元以上，库存股回购及注销60万亿韩元以上，其中包含8月公布、已完成注销的40万亿韩元库存股回购。
SK海力士还在今日召开的董事会上通过决议：第三季度现金分红14万亿韩元，进行20万亿韩元库存股回购（10万亿韩元计划用于注销，其余用于员工绩效奖金）。SK海力士此前出售了持有的铠侠股份，此次称将相关的大部分投资收益返还股东，包括这部分在内，第三季度分红为每股2万韩元（约100元人民币）。
SK海力士今日盘中股价涨超7%。
