中微半导体设备(广州)有限公司取得基座及气相沉积装置专利,保证加热器的上表面和上电极下表面之间的平行度

中微半导体设备(广州)有限公司取得基座及气相沉积装置专利,保证加热器的上表面和上电极下表面之间的平行度
2025年01月04日 18:11 金融界火线

金融界2025年1月4日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(广州)有限公司取得一项名为“基座及气相沉积装置”的专利,授权公告号 CN 222250968 U,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种基座,包括:加热器,所述加热器的下方设置一绝热板,所述绝热板包括一中心区域和边缘区域,至少四个基板抬升机构支撑所述绝热板的边缘区域,每个所述基板抬升机构的第一端与所述绝热板连接,每个所述基板抬升机构的第二端与驱动机构连接,每个所述基板抬升机构的第一端包括一球头面,所述绝热板包括与所述球头面匹配的凹槽。通过调整绝热板对应区域所述基板抬升机构的垂直距离,从而调整该区域的加热器的高度以改变与上电极的距离,进而保证加热器的上表面和上电极下表面之间的平行度。

天眼查资料显示,中微半导体设备(广州)有限公司,成立于2023年,位于广州市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币,实缴资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,中微半导体设备(广州)有限公司专利信息1条,此外企业还拥有行政许可1个。

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