润新微电子取得一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法专利

润新微电子取得一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法专利
2025年01月11日 18:10 金融界火线

金融界2025年1月11日消息,国家知识产权局信息显示,润新微电子(大连)有限公司取得一项名为“一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法”的专利,授权公告号CN 118866956 B,申请日期为2024年9月。

天眼查资料显示,润新微电子(大连)有限公司,成立于2016年,位于大连市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本13097.1707万人民币。通过天眼查大数据分析,润新微电子(大连)有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目14次,知识产权方面有商标信息2条,专利信息48条,此外企业还拥有行政许可16个。

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