成都华微获得发明专利授权:“高阶补偿带隙电压基准电路”

成都华微获得发明专利授权:“高阶补偿带隙电压基准电路”
2024年03月20日 02:43 证券之星官方微博

证券之星消息,根据企查查数据显示成都华微(688709)新获得一项发明专利授权,专利名为“高阶补偿带隙电压基准电路”,专利申请号为CN202210985150.7,授权日为2024年3月19日。

专利摘要:高阶补偿带隙电压基准电路,涉及集成电路技术,本发明包括第一MOS管(MP1)、第二MOS管(MP2)、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)、第一双运放(A1)、第二双运放(A2)、第三单运放(A3)和第四单运放(A4)。本发明不仅通过基准核之间基极电流在电阻上产生的压降,有效的对非线性的指数曲率进行了补偿,还实现了带隙电压的二倍放大,增大了基准的输出范围。

今年以来成都华微新获得专利授权1个。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了1.05亿元,同比增80.58%。

数据来源:企查查

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