（文/赖家琪 编辑/吕栋）
刚上市两个月，长鑫科技计划将IPO超募资金投向两大新项目。
9月28日晚，长鑫科技发布公告称，公司拟使用130亿元的超募资金投资建设技术研发项目，同时通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供50亿元超募资金，用于建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。
消息公布后，长鑫科技29日低开高走，截至发稿涨超3%，总市值接近3.8万亿元。
长鑫科技新宣布的两大项目合计拟使用超募资金180亿元。公告显示，公司7月22日收到总额为368.10亿元的IPO超募资金，此前尚未使用，本次拟使用的资金占公司超募资金总额的近一半。
其中，技术研发项目总投资额为241亿元，建设周期为30个月，实施地点位于安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内。
从资金投向来看，这一项目主要将用于设备购置。公告显示，241亿元总投资中，设备购置费达到223.98亿元，占项目总投资的92.94%，其中130亿元由超募资金投入。该项目主要用于技术研发，不单独进行投资回报测算，其经济效益将主要通过技术赋能主营产品、促进主营业务增长体现。
长鑫科技在公告中表示，随着存储器技术和下游应用持续变化，公司需要持续推进产品和制程工艺迭代，通过研发投入推动工艺技术代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制和读写性能上满足市场需求。
另一笔50亿元超募资金，则将投入长鑫产品合肥存储器晶圆后道测试基地二期项目。该项目总投资108亿元，建设周期37个月，地点位于合肥市肥西县，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
长鑫科技称，测试是DRAM生产不可或缺的关键环节。随着公司产能提升和产品种类增加，未来可能面临外部封测厂测试产能不足、新增投资配套不足等问题，因此需要增加自建测试产能，以避免后道测试成为产能扩张的瓶颈。
公司同时认为，自建存储器晶圆后道测试和模组项目，可以更加灵活地协调测试产能利用，降低DRAM芯片测试成本，并进一步完善IDM（集成器件制造）模式。
这两大项目均位于长鑫科技产业基地及周边区域。公司表示，其采用IDM模式开展经营，已经具备从芯片设计到完成制造的完整生产环节基础设施和技术积累，可以为产品升级和技术研发提供基础积累和知识产权积累。
从项目性质来看，两笔资金分别对应长鑫科技产业链上的前端技术研发和后端测试能力。技术研发项目更侧重工艺和产品迭代，而后道测试基地二期则意在补充DRAM测试产能、降低测试成本。
长鑫科技在公告中也提示，本次项目实施仍存在宏观政策、市场环境、团队建设、项目进度等方面的不确定性风险。其中，对于后道测试基地二期项目，如果新增产能无法按预期实现满产，人力成本、设备折旧及厂房运维费用可能对公司阶段性财务表现形成压力。
长鑫科技刚完成IPO不久。今年7月16日，长鑫科技开放新股申购，同月27日在科创板挂牌上市。公司首次公开发行股票最终募集资金666.07亿元，扣除发行费用后，募集资金净额为663.10亿元，其中超募资金达到368.10亿元。
此前，长鑫科技主要将募集资金用于存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM存储器技术升级以及动态随机存取存储器前瞻技术研发等项目。此次使用180亿元的超募资金后，长鑫科技仍将保留约188亿元超募资金，公司表示将在相关审批程序完成后开立募集资金专用账户，并根据项目实施进度逐步投入资金。
长鑫科技是中国第一、全球第四的DRAM厂商，拥有4484项境内专利、3400项境外专利，目前已完成从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，并实现从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进。
今年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%，实现归母净利润776.05亿元，上年同期该项为亏损23.32亿元；实现扣非归母净利润787.93亿元，上年同期该项为亏损23.87亿元。公司将业绩大幅增长归因于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等因素的影响。长鑫科技在半年报中表示，全球DRAM产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势，带动公司主要DRAM产品销售毛利大幅增长。
本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。
4001102288 欢迎批评指正
All Rights Reserved 新浪公司 版权所有
