（文/汤普济 编辑/吕栋）
长鑫存储宣布4F² DRAM架构取得研发进展后，美国存储巨头美光科技却对这一技术路线给出了不同判断。
当地时间10月21日，美光科技总裁兼首席技术与产品官斯科特·德波尔（Scott DeBoer）在技术研讨会上表示，美光过去约20年持续研究4F² DRAM，也曾制造原型产品进行比较，但最终没有选择这一架构。
德波尔认为，4F²的制造复杂度和成本更高，更重要的是，这一路线在先进制程下存在难以克服的物理限制。他还表示，部分关于4F²与6F²的比较存在误导性，因为决定DRAM存储密度的关键，并不只是存储单元的平面面积。
DRAM是服务器、电脑和手机等设备的运行内存，通常由晶体管控制数据读写、电容储存数据。4F²和6F²描述的是存储单元的平面占用面积，F代表制造工艺的最小特征尺寸。理论上，4F²单元的占地面积更小，有利于在相同面积内集成更多存储单元，但实际存储密度还取决于电容间距、尺寸及其他制造工艺条件。
长鑫存储在10月10日公布4F² DRAM架构研发进展，称其自主研发的VSG（垂直包围栅）晶体管采用垂直沟道结构，通过增强栅极对电流的控制，改善晶体管微缩过程中面临的漏电和短沟道效应，同时减少晶体管在平面上的占用空间，为提高存储密度创造条件。
长鑫还在推进混合键合技术，计划于2026年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存产品。
德波尔则认为，决定DRAM存储密度的关键不只是存储单元的平面面积，还包括电容的尺寸和间距。即使晶体管采用更紧凑的布局，电容仍须保留足够的储电能力，并满足读写要求。如果电容间距无法继续缩小，单纯从6F²改为4F²，未必能获得相应的密度收益。
他表示，4F²在较早的工艺节点上可以实现，但继续微缩会遇到物理限制，最终推动行业探索3D DRAM。
美光目前仍将继续推进6F²架构的平面微缩。公司展示的路线图显示，1γ节点已进入大规模量产，并首次在其DRAM工艺中引入EUV极紫外光刻技术。下一代1δ节点预计于2027年下半年进入量产爬坡阶段，位密度较前代提升20%以上，并针对HBM5、垂直HBM和垂直边缘推理内存等产品进行优化。
美光技术路线图美光
更远期的制程规划中，美光正在开发1ε节点，计划采用晶圆键合技术；后续节点将探索高数值孔径EUV光刻和新材料。
3D DRAM也被纳入美光的研发路线图，将与现有平面微缩同步推进，具体导入时间取决于制造成本、工艺复杂度和器件性能。《日经亚洲》援引德波尔的话称，3D DRAM将采用完全垂直的结构，电容的方向也会随之改变，因此其优化和研发方式将不同于现有DRAM。美光尚未公布这一技术的明确量产时间。
美光补充道，其HBM4已经进入高量产阶段。其路线图显示，美光计划在2027年至2030年陆续推进HBM4E、HBM5、HBM5E和HBM6，并规划于2028年至2030年间完成vHBM 1至vHBM 3（垂直高带宽内存）以及vEIM 1至vEIM 3（垂直边缘推理内存）的迭代。
德波尔表示，vHBM侧重提升带宽，vEIM则更加注重能效。美光还将从HBM4E开始，在JEDEC标准的基础上进一步推进定制化设计。
NAND闪存方面，美光下一代Gen11产品的堆叠层数将超过400层，预计于2027年下半年进入量产爬坡阶段，并采用晶圆键合技术进一步提高存储密度。
Counterpoint Research数据显示，2026年第二季度，美光分别占全球DRAM和NAND市场营收的24%和约15%，均位居全球第三。同期，长鑫存储占全球DRAM营收的10%，排名第四；长江存储则以14%的NAND营收份额排名第五。
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