据长江日报报道，在全国两会上，刘江东等多位全国人大代表联名建议，支持武汉加速建设国家存储器基地。
报道指出，代表们建议，在发展战略上更加聚焦国家存储器基地建设，尽快成立国家集成电路产业投资基金，成立相关工作协调领导小组，抢占时间窗口，加速推进项目建设。以更大力度推进国家存储器基地建设，确保项目一期后续资金如期及时到位，以超常举措推进生产设备进场装机和原材料供应，力争项目一期2020年底实现产能10万片/月的原计划目标不变，并尽快启动项目二期投资建设。
同时，代表们还建议，强化国家存储器基地发展资本保障，国家有关部门要支持长江存储整体上市或拆分上市，支持武汉新芯改制上市，为项目在资本市场发债、上市提供绿色通道，尽快实现资产证券化。
长江日报指出，该项目分三期建设，项目二期技术水平达到世界一流，初步形成规模经济。
2016年2月，武汉国家存储器基地项目落户武汉东湖新技术开发区。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存；2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。
2020年1月16日，在长江存储召开的市场合作伙伴年会上，杨士宁曾表示，长江存储已规划2020年将提供嵌入式存储、固态硬盘（SSD）等完整解决方案产品，面向更多通讯、系统整机客户根据项目方案。下一步，长江存储的第三代产品将跳过96层，直接上128层堆叠闪存。
封面图片来源：长江存储官网截图
