9月20日，世界制造业大会在安徽合肥开幕，本次大会上，合肥长鑫存储成为媒体刷屏报道的焦点。
9月20日，长鑫存储内存芯片自主制造项目在安徽合肥宣布投产，其生产的10纳米级第一代8GB DDR4与国际主流DRAM产品同步，一期设计产能每月12万片晶圆。
在世界制造业大会现场，长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示，公司投产的8Gb DDR4已通过多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。
合肥长鑫存储
DRAM是最常见的内存芯片，是电子产品不可替代的关键战略性元器件。2018年，中国芯片进口额超过3000亿美元，这个单一品类就占到了其中两成以上。中国虽是其最大应用市场，却始终未能掌握制造技术。
清华大学微电子所所长魏少军、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内专家表示，长鑫存储内存芯片投产，这标志中国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。
据了解，长鑫存储以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。
受长鑫存储投产消息影响，9月20日，A股芯片概念股大涨，兆易创新一度涨停，最终收涨9个点，另一家与长鑫存储有过合作的亚翔集成股价涨停。
内存芯片投产后，合肥长鑫存储再迎利好：9月21日，总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在2019世界制造业大会上签约，包括总投资约1500亿元的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目、总投资超过200亿元的空港集成电路配套产业园项目和总投资约500亿元的合肥空港国际小镇项目。其中，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元，是安徽省单体投资最大的工业项目。
合肥长鑫速度之所以这么快，主要因为其技术来源于曾经的DRAM技术领军企业德国奇梦达。2009年奇梦达因经营问题破产。
长鑫存储董事长兼CEO朱一明在不同场合曾表示，长鑫存储通过与奇梦达的合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。建立了严谨合规的研发体系并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进，开发出独有的技术体系，拉近了与世界先进水平的技术差距。
