证券日报网7月15日讯 ，宏微科技在接受调研者提问时表示，2300V SiC产品已开展流片工作，在封装方面，公司正针对现有半桥封装方案痛点开发集成度更高的封装方案。3300V SiC器件已研发下线，正在进行封装和可靠性试验，未来可应用于SST领域。10kV SiC技术方面，公司与怀柔国家实验室合作成立宏微怀实（控股子公司），相关技术成果将在宏微怀实落地转化。上述产品从流片、试验到量产需较长的认证周期，且应用场景认证标准严苛，技术达标和产业化进度存在不确定性。
（编辑 楚丽君）
证券日报网7月15日讯 ，宏微科技在接受调研者提问时表示，2300V SiC产品已开展流片工作，在封装方面，公司正针对现有半桥封装方案痛点开发集成度更高的封装方案。3300V SiC器件已研发下线，正在进行封装和可靠性试验，未来可应用于SST领域。10kV SiC技术方面，公司与怀柔国家实验室合作成立宏微怀实（控股子公司），相关技术成果将在宏微怀实落地转化。上述产品从流片、试验到量产需较长的认证周期，且应用场景认证标准严苛，技术达标和产业化进度存在不确定性。
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