本报讯 （记者徐一鸣）近日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）正式宣布其第五代DRAM（动态随机存取存储器）技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产，并同步展示了基于该平台的大容量LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）5X产品。在此之前，长鑫科技自主研发的LPDDR6芯片也已实现量产商用。
具体来看，依托四重曝光技术，G5平台将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，已接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。此外，该平台的存储电容深宽比达到45：1，并开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，将核心功能区高度缩小到6762纳米。LPDDR6芯片首发则搭载于小米18Fold折叠旗舰手机，为全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为16GB，最高传输速率可达12800Mbps，充分满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对极致计算能力的需求。
西南证券股份有限公司研报称，展望未来，长鑫科技通过上市募资积极扩产，并推动高代际产品迭代，逐步缩小与海外龙头的制程差距，并通过积极布局中高端产品抢占国内市场，长期成长路径清晰。
（编辑 张文玲）
