10.78亿!国产功率半导体龙头宣布扩产

10.78亿!国产功率半导体龙头宣布扩产
2026年09月23日 16:38 看点资讯

10.78亿元,功率半导体企业银河微电把新一轮扩产方向指向了高端功率器件。

9月22日,功率半导体企业银河微电公告建设“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”,产品覆盖SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等。

相比投资金额,更值得关注的是产能投向变了。

从传统小信号、普通低压器件,到车规MOS、IGBT、SiC和功率模块,功率半导体企业银河微电正在把更多资源推向中高压、大功率和第三代半导体。这背后反映银河微电怎样的布局?半年报有无线索?

01

10.78亿元

功率半导体企业银河微电扩的不只是产能

先看这次扩的是什么。

根据公告,功率半导体企业银河微电项目总投资约10.78亿元,建设周期3年,预计2027年1月开工。

这意味着,功率半导体企业银河微电去年开始建设的产业化基地,正在从“建厂房”走向“装产能”。

2025年7月,功率半导体企业银河微电已经宣布投资约3.1亿元建设“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”,主要用于土地购置和厂房土建。此次10.78亿元投资,则进一步落到生产设备和产线上。

但这并不是简单复制原有产能。

功率半导体企业银河微电过去的优势产品包括小信号二极管、小信号三极管和小信号MOSFET等,而此次新项目明确将产品定位于SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等技术路线,面向新能源汽车、储能、工业等高门槛市场

所以,这10.78亿元真正要扩的,不只是产能规模,更是高端产能在银河微电整体产能结构中的比重。

02

功率半导体企业银河微电 半年报给出答案

增量正在往高端走

为什么功率半导体企业银河微电选择在此时大规模扩充SiC、IGBT和高端MOS?

从半年报来看,这些业务已经开始从研发投入变成真实订单和收入

2026年上半年,公司实现营收6.11亿元,同比增长28.28%

扣非净利润4152.30万元,同比增长134.78%

同期研发投入3510.66万元,同比增长13%

比总量增长更值得关注的是结构。

半年报披露,功率半导体企业银河微电车载业务已经连续多年保持50%以上增长

截至2026年上半年,车规产品营收占总营收比重已达到35%

车规MOSFET、TVS、整流桥、智能功率模块新增多家车企及Tier1客户定点项目;

中大功率车规MOSFET已经实现规模量产交付。

产品端的变化更加明显。

首先是功率MOS。

上半年,功率半导体企业银河微电高端功率MOS封装新工艺已经全面落地量产,通过Clip、高散热结构等工艺提升散热效率、功率密度和过载能力,产品进一步覆盖新能源、工控和储能等高功率应用。

其次是IPM模块。

多款智能功率模块已经完成系列化迭代终端上机验证,并开始稳定小批量供货。这意味着银河微电正在从出售单颗分立器件,继续向集成度和产品价值更高的模块延伸。

再往上是SiC。

功率半导体企业银河微电车用SiC MOSFET功率器件及模块已经完成芯片工艺优化、器件结构迭代、模块封装升级和车规工况验证,项目完成技术定型,进入样品送测、客户验证及产业化工艺调试阶段。

更关键的是研发资源的流向。

2026年上半年,功率半导体企业银河微电研发投入占营收比例为5.74%,公司明确表示,研发资源正重点向第三代半导体、车规级功率器件、智能功率模块等高附加值业务倾斜。

目前在研项目中既有1200V系列车规SiC MOSFET及模块,也有IGBT模块、车规功率MOS封装平台等。

至此,功率半导体企业银河微电对SiC、IGBT和高端MOS的投入,正从技术储备逐步进入产业化阶段。

03

一边扩产、一边并购

功率半导体企业银河微电补的是同一个短板

功率半导体企业银河微电今年的另一个动作,也指向了高端功率器件。

6月,公司披露拟通过发行股份方式收购恒泰柯100%股权。按照银河微电半年报的说法,这笔收购的重要目的之一,就是“补齐公司中高压MOS产品布局短板”

两家公司的能力存在明显互补。

银河微电采用IDM模式,覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试和销售,在制造和封测端已经形成较完整的产业链能力;

恒泰柯则采用Fabless模式,重点布局中压SGT MOSFET和高压Super Junction技术,其中150V—200V中高压SGT MOSFET是其核心产品之一。

因此,把并购和10.78亿元扩产放在一起看,逻辑就更加清晰:对外并购,补中高压MOS产品和芯片设计能力;对内扩产,补规模制造和交付能力。

04

功率半导体企业银河微电10.78亿元投下去

真正要看“有效产能”

相比“建多少产能”,接下来更值得关注的是:这些产能最终有多少能够成为有效产能。

功率半导体企业银河微电自己也保持了相对谨慎的投资节奏。

同时也预告可能的风险情况:

未来两三年真正值得跟踪的是三件事:SiC和IGBT能否从验证走向量产、高端功率器件收入占比能否持续提升以及新产线能否随着订单同步爬坡。

从3.1亿元建厂房,到10.78亿元上设备,再到收购恒泰柯补齐中高压MOS,功率半导体企业银河微电已经把产品、技术和产能同时推向高端功率半导体。现在的问题已经从“要不要做SiC/IGBT”,变成了这些投入最终能兑现多少订单和有效产能。

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