格隆汇3月4日|据ZDnet,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。
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