智通财经APP获悉，国盛证券发布研报称，AI服务器设计正迎来结构性转变，伴随芯片升级，PCB除用量升级外，其规格、架构将进一步升级，有望向更高多层、更高阶数发展，直接带动上游材料实现质变，单台服务器PCB价值同比将实现倍增。存储端，随着英伟达即将正式向中国出口搭载HBM3E的AI芯片H200，三星电子与SK海力士决定将明年的HBM3E供应价格上调近20%。此外，据韩媒thelec报道，SK海力士M15X新工厂的量产时间较原计划提前4个月，抢占HBM4市场先机。
国盛证券主要观点如下：
芯片持续迭代，PCB量价齐升
PCB价值量大幅提升，主要得益于1)PCB层数与工艺难度升级；2)功能集成增加。当前来看，AI服务器设计正迎来结构性转变，从英伟达Rubin平台的无缆化架构，到云端大厂自研ASIC服务器的高层HDI设计，PCB不再只是电路载体，而成为算力释放的核心层，PCB正式进入高频、高功耗、高密度的“三高时代”。以Rubin为例，2026年Rubin将实现量产，采用Cabless设计，过去依靠线缆实现连接，后续将改由PCB板直接承接。
国盛证券认为，伴随芯片升级，PCB除用量升级外，其规格、架构将进一步升级，有望向更高多层、更高阶数发展，直接带动上游材料实现质变，单台服务器PCB价值同比将实现倍增。
此外，Rubin设计逻辑已成为产业共同语言，后续ASIC AI服务器有望同样导入高层HDI、低Dk材料与极低粗糙度铜箔，将带动整个PCB产业链条发展，往后展望，Tray间互联有望通过正交背板实现，进一步打开供应链成长空间。因此，当前处于新方案落地前夕，需高度重视自上游材料至PCB板厂机会，2026年PCB供应链有望迎强发展机遇。
HBM3E价格上调近20%，M15X提前量产抢占HBM4市场
随着英伟达即将正式向中国出口搭载HBM3E的AI芯片H200，三星电子与SK海力士决定将明年的HBM3E供应价格上调近20%。原厂正全力扩大HBM4生产能力，导致HBM3E供应能力不足，以及英伟达、谷歌、亚马逊等科技巨头大幅上调明年的HBM3E订单，成为价格上涨的重要因素。
此外，据韩媒thelec报道，SK海力士M15X新工厂的量产时间较原计划提前4个月，抢占HBM4市场先机。目前SK海力士已完成1b HBM4工艺认证，采用改进型电路的HBM4晶圆将于2025年底完成制造，并计划在2026年1月初向英伟达交付下一代12层HBM4内存的最终样品。
科技大厂赴韩抢存储产能
12月25日消息，受存储芯片供应持续紧缺、价格大幅飙涨影响，苹果、微软、谷歌、Meta等全球科技大厂为保障自身足够供应，纷纷派遣采购高管赴韩，与三星电子、SK海力士等头部存储芯片厂商洽谈产能争取事宜。谷歌当前60%的HBM 由三星电子供应，受TPU需求超预期影响，其采购负责人曾与SK海力士、美光谈判2026年额外供应，但均遭拒绝；鉴于相关采购主管未能提前与存储芯片厂商签署长期协议(LTA)，导致供应链面临风险，谷歌管理层已将其解雇。
此外，本月早些时候微软采购主管也曾到访韩国SK海力士总部，就LTA供应合同及价格展开谈判，SK海力士表示难以满足微软提出的合作条件。
原厂端持续推高合约价，成品价格显著上涨
从本周(2025.12.22-12.26)报价来看，1)NVME3.0全容量产品报价均呈上涨趋势，涨幅集中在5%-8%；NVME4.0全容量产品同步上涨，涨幅区间为2%-8%；SATA3.0市场所有容量报价亦呈上行态势，涨幅介于2%-10%之间。2)内存OEM市场D4板块全容量产品价格均呈上涨态势，涨幅区2%间-为5%；D3板块所有容量报价保持稳定，未出现波动。3)FlashWafer原厂合约价出现大幅上涨。其中32GTLC型号涨幅高达45.45%，原厂端正以空前力度推动价格上行。
风险提示
下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。
