以下美光科技 2024 财年第二季度财务电话会议纪要，财报解读请移步《美光：存储大涨价，掀开 HBM3E 争夺战》
一、美光财报核心信息回顾：
二、$ 美光科技.US财报电话会详细内容
2.1 高管层陈述核心信息：
- 盈利能力恢复提前实现：美光在 2024 财年第二季度实现了高于预期的收入、毛利率和每股收益，比预期提前一个季度实现了正的营业利润率。
- 市场条件改善推动价格上涨：强劲的 AI 服务器需求、改善的终端市场需求环境以及行业供应减少共同推动了市场条件的改善和价格的大幅上涨。
- 创纪录的收入与盈利能力预期：预计在 2024 年全年 DRAM 和 NAND 的价格水平将进一步上升，预计 2025 财年将实现创纪录的收入和显著改善的盈利能力。
- 技术节点领先：美光的超过四分之三的 DRAM 位运用在 1-alpha 和 1-beta 节点上，而超过 90% 的 NAND 位使用在 176 层和 232 层节点。
- 成本降低符合长期预期：2024 财年预计符合前端成本降低的长期预期，DRAM 预计中至高个位数降幅，NAND 预计低十几个百分点降幅。
- 终端市场库存改善：数据中心内存和存储库存显著改善，预计 2024 年上半年将正常化；汽车和工业市场需求保持强劲。
- AI 驱动的增长机遇：AI 技术将推动多年增长阶段，美光在数据中心和边缘市场均处于利用这些趋势的良好位置。
- HBM 产品市场认可：HBM 产品因低功耗和高性能获得市场认可，预计 2024 财年实现数亿美元收入。
- 资本支出计划：美光计划 2024 财年资本支出在 75 亿至 80 亿美元之间，持续投资于保持技术领先和产能优化。
- 维持技术领导和改善盈利能力：美光预计保持 DRAM 和 NAND 的技术领导地位，同时通过严格的供应和资本支出纪律，致力于改善盈利能力。
2.2 管理层综述：
2.2.1 市场动态与价格趋势：
由于AI 服务器需求强劲、大多数终端市场需求环境改善及整个行业的供应减少，市场条件改善，导致价格大幅上涨。AI 服务器需求促使 HBM、DDR5 和数据中心 SSD 的迅速增长，从而加剧了 DRAM 和 NAND 的领先边缘供应紧缺。预计 2024 年全年 DRAM 和 NAND 价格水平将进一步上升，2025 财年预计将实现创纪录的收入和大幅改善的盈利能力。
2.2.2 技术与产品发展
美光在 DRAM 和 NAND 的行业最先进技术节点方面处于领先地位，超过四分之三的 DRAM 位现在运用于领先的 1-alpha 和 1-beta 节点上，超过 90% 的 NAND 位使用在 176 层和 232 层节点上。预计 2024 财年前端成本降低（不包括 HBM 的影响）将符合长期预期，DRAM 中至高个位数、NAND 低十几个百分点的降幅，得到 1-beta DRAM 和 232 层 NAND 持续量产的支持。
2.2.3 终端市场展望
- 数据中心市场：内存和存储的库存在数据中心已显著改善，预计 2024 年上半年将正常化。2024 年，受 AI 服务器强劲增长和传统服务器回归温和增长的推动，整个行业的服务器单位出货量预计将增长中至高个位数。
- 个人电脑（PC）和智能手机市场：经历两年的双位数下滑后，预计 2024 年 PC 单位量将适度增长。智能手机 2024 年的单位量预计将实现低至中单位数增长，个性化 AI 能力的需求推动了对更高内存和存储容量的需求。
- 汽车和工业市场：汽车部门继续体验到强劲的内存和存储需求，随着非内存半导体供应限制缓解和新车平台的推出，工业市场的内存基础也健康，分销商库存、订货比和需求可见性改善，尤其是那些建立在领先节点上的产品供应紧张。
2.2.4 产能规划与 CapEx 投资
尽管财务表现有所改善，但当前的盈利水平仍远低于长期目标。2024 财年，美光的资本支出计划保持在 75 亿至 80 亿美元之间，WFE 支出预计将年度下降。美光将继续执行供应和资本支出的纪律，专注于恢复改善的盈利能力，同时保持 DRAM 和 NAND 的位市场份额。
2.2.5 HBM 发展
美光在高带宽存储（HBM）方面取得显著进展，预计 2024 财年 HBM 业务将为公司带来数亿美元的收入，并从第三财季开始对 DRAM 和整体毛利率产生积极贡献。美光的 HBM 产品已在 2024 年售罄，绝大多数 2025 年的供应也已被分配。随着对 AI 的需求增长以及 HBM 路线图的硅强度增加，预计 DRAM 在所有终端市场的供应条件将继续紧张。
2.2.6 AI 技术推动的增长阶段
我们正处于由 AI 技术驱动的多年增长初期阶段。AI 作为一种颠覆性技术，将转变商业和社会的每一个方面。人工智能的发展，特别是人工通用智能（AGI）的追求，将需要模型大小的持续增加，拥有数万亿参数。另一方面，也在不断进步中的 AI 模型，使其能够在边缘设备上运行，如个人电脑和智能手机，创造新的引人注目的能力。
2.2.7 存储技术在 AI 中的关键角色
内存和存储技术是 AI 训练和推理工作负载的关键使能器，美光在数据中心和边缘计算领域都处于良好的位置，以利用这些趋势。我们认为，美光是半导体行业中由 AI 驱动的多年增长机会的最大受益者之一。
2.2.8 高质量短剧领域
阅文集团正式进入高质量短剧领域，推出短剧明星孵化计划，通过设立超过 1 亿元人民币的创意基金，支持 100 多部短剧系列，并开创互动短剧格式。该计划已经带来显著收益，几部短剧系列的总收入超过了 1000 万元人民币。
2.2.9 技术和产品创新
- 美光推出行业首款基于单片模式的 128GB 服务器 DRAM 模块，提供行业最高带宽的 D5 能力，能效比竞争对手的 3D TSV 解决方案高出 20% 以上，延迟性能提高 15% 以上。
- 我们对高容量服务器 DIMM 产品组合取得了显著进展，在财年第二季度完成了行业首款 128GB 产品的验证，并预计下半财年将实现数亿美元的收入。
- 在数据中心 SSD 市场，我们在 2023 年实现了创纪录的市场份额。我们的 232 层 6500 30TB SSD 在 AI 数据湖应用中提供了业界最佳的性能、可靠性和耐用性，季度收入同比增长超过 50%。
三、Q&A 分析师问答
3.1 HBM 产品增长轨迹及产能规划展望
Q:关于 HBM，鉴于公司对 2024 年收入的展望，似乎意味着公司的 HBM 业务年增长率可能是四倍或五倍。（1）这样的增长轨迹是否准确？（2）接下来 12 到 18 个月的资本支出以及晶圆产能将如何变化？（3）考虑到 2024 财年晶圆产能预计将下降低双位数百分比，2025 财年的晶圆产能是否可能再次下降？
A：公司的 HBM3E 产品因其高性能和相比其他产品低 30% 的功耗而受到客户的热烈欢迎，导致 2024 年和 2025 年的供应已经或即将全部分配完毕。随着生产的开始和预计在 2024 年和 2025 年的持续增加，公司预计在 2025 年相比 2024 年会有显著的增长。在晶圆产能方面，公司预计在2024 财年末将实现低双位数的结构性减少，并且将严格控制供应增长和 HBM 份额，同时利用技术转换优势。关于资本支出，2025 财年的资本支出和晶圆设备投资（WFE）预计将高于 2024 财年。此外，为了支持往后的需求，与新建项目相关的建设资本支出也将导致 2025 财年资本支出的增加。公司将继续遵循其资本支出占收入 35% 的框架策略，以确保在 HBM 领域以及更广泛市场中的竞争力。
3.2 HBM3 的增值性及服务器市场需求展望
Q：（1）了解 HBM3 对毛利率的积极影响。据了解，在本季度中，HBM 将对毛利率产生积极影响。此外，（2）想知道在传统服务器需求方面的看法，以及预测是否假设该终端市场的出货量会有所改善。
A：HBM 因其在应用中带来的高性能和低功耗而具有较高的价值，尽管成本较高，但也能实现显著更高的定价。公司执行得很好，产量爬坡也按计划顺利进行，因此很高兴地看到，在开始生产发货的这个季度，HBM 将对毛利率产生积极影响。这一积极势头将在接下来的几个季度持续增强。
关于传统服务器需求的问题，公司预计在 2024 年，传统服务器的需求将适度增长，尤其是在 2023 年服务器单元销售显著下降之后。公司对传统服务器需求中内容增长的势头加强感到非常高兴。同时，AI 服务器单元的增长和 AI 领域整体服务器单元的增长将在年度内达到中至高个位数百分比，其中 AI 服务器的增长率将高于传统服务器的适度增长。
公司实际上在服务器领域对 DRAM 和 NAND 产品的需求都很强劲，并且正在将部分产品组合转向这些需求更高的解决方案。其中 HBM 和高密度 DIMM 需求强劲，适用于服务器应用，以及数据中心的 SSD 也显示出健康的需求动力。此外，公司预测，内存和存储在数据中心市场的客户库存将在 2024 年上半年基本正常化，市场的发展与几个季度前的预测完全一致。
Q：（1）想了解从 Big3 到 HBM 的晶圆转移对 DDR5 的供需展望有什么影响，（2）以及与客户的互动和长期合约周围的任何情况？
A：对于关于从 Big3 到 HBM 的晶圆转移及其对 DDR5 供需展望影响的问题，公司指出，HBM3E 生产相比 DDR5 在同一技术节点下需要近三倍的晶圆量来产生相同的位数，这反映了 HBM 是一项高度硅密集的技术。随着对 HBM 的需求迅速增加，尤其是在最近的 GPU 解决方案中观察到的更高的附加率，表明 HBM 正处于需求增长的高峰期。这种需求的增长，不仅在位数上，在收入方面也将在可预见的未来持续增长。由于 3 比 1 的转换比率和 HBM 需求的增加，以及 HBM 较高的利润性，非 HBM 内存部分的供应变得紧张。这导致公司表示，最先进的技术节点的供应非常紧张，并预计 D5 以及其他 DDR 产品因供应紧张而在盈利能力上会有所改善。关于与客户的长期协议，公司已经为 2024 年和 2025 年锁定了供应，这增强了其在 D5 以及 LP5 产品与客户合作的信心。
Q：在毛利率方面，您谈到了之前减计的库存现在已经处理完毕。能否详细说明将在 2024 年余下时间内影响毛利率的因素？
A：针对毛利率方面的问题，特别是关于之前写下的库存如何影响 2024 年剩余时间内的毛利率，公司表示，在过去一年多的时间里，由于各种因素，包括时间差异、难以评估的成本降低和毛利率进展、利用不足的影响、节点转换、结构性产能减少等，面临了挑战。到了第二季度，先前被减计的库存终于清理完毕，尽管这在某种程度上减少了对毛利率的负面影响，但相比第一季度，这种影响在减弱，并且预计在第三季度将转变为有利的影响。此外，与利用不足相关的周期性成本也从第一季度到第二季度有所下降。公司目前只剩下与遗留产能相关的成本，并将在未来继续这样做。随着成本降低和边际效应逐渐趋于正常，节点过渡正在发生，这是一个积极的变化。利用不足的影响正在消退，公司通过提升产量杠杆效应及其相关的成本吸收以及专注于效率来应对这一变化。因此，公司预期在成本降低方面将回归到正常的中至高单数降低。展望未来，HBM 相关的成本将会对成本降低的表现产生影响，这是一个良好的交易，因为产品组合更有利，价格更高，从而增加了边际利润，但这将对成本降低产生影响。
3.3 供需紧张与客户合作动态
Q：想了解您与客户的讨论氛围。看起来今年行业的位数增长主要是因为去年的高基线，但供应似乎并没有增加以匹配今年更高的位数增长，使得过去三个月供需平衡更加紧张。（1）这如何改变了您与客户的讨论动态？（2）上个季度有 6 亿美元的预付款，这个季度有预付款吗？（3）您是否在与客户讨论新的合同结构，比如他们可能会资助一些您的资本支出？
A: 对于财年 2024 或日历年 2024 相对于 2023，出货量将大幅增加，年度出货量的增长将是实质性的。正如指出的那样，供应非常紧张。供应紧张是由于之前讨论过的因素，包括行业去年经历的低迷，资本支出和利用率的削减，以及从传统的旧节点向支持最先进节点的新节点设备的结构性转变，这导致行业的晶圆产能出现结构性减少。HBM 的 3 比 1 交换比率也对非常紧张的供应状况做出了贡献。特别是关于 HBM，与客户的讨论中，当谈到 HBM 已售罄时，这类合同包括了定价、数量以及其他更严格条款作为长期协议的一部分。2024 年的产量和定价已经全部锁定。2025 年的产量大部分已经分配，且部分定价已经确定。值得注意的是，这是前所未有的，讨论 2025 年的供应和定价在当前就已经锁定。这对于非 HBM 市场部分的其他客户讨论产生了积极影响。
在整体紧张的供应环境中，这对于公司管理价格上涨以及保持对供需平衡的关注，并在推动业务收入和利润增长的同时保持极端纪律性，继续执行保持稳定位份额策略是有利的。最先进的供应非常紧张，公司正在努力最大化产出，这意味着最先进的产线目前正在全面利用中。
至于预付款的问题，公司没有提供任何具体信息或。
3.3 高容量 DIMM 的市场潜力
Q：您提到的 128GB 产品似乎在 AI 市场非常重要。公司采用了单片式方法，而我知道您的竞争对手使用了封装式方法。（1）能否谈谈对此的接受度，（2）以及您提到的几亿美元的机会，您认为这个机会有多大？
A：公司在准备的发言中已经指出，这款产品受到了客户的强烈需求。这主要得益于我们选择的架构，充分关注对客户至关重要的事项，包括显著改善的延迟以及能效。相较于堆叠式架构，单片式架构提供了更简化的互联方式，这在能效和性能优势方面带来了好处。因此，公司确实看到了对此产品的强烈接受度。公司表示，这将在本财季为公司带来有意义的收入，并在 2024 财年带来几亿美元的收入，明显呈现出强劲的增长趋势。公司的目标是继续谨慎管理产品组合的混合，以便继续将产品组合向更有利可图的业务部分转移，特别是像数据中心解决方案，包括刚刚讨论的高容量 DIMMs——HBM，数据中心 SSD 等。所有这些都表明，公司在不断成功地强化产品组合并针对市场更有利可图的部分调整业务组合。
3.4 HBM 对毛利率的贡献及未来展望
Q：如果 HBM 占美光 DRAM 收入的 20%，并且你们曾说，明年某个时刻，从位数基础上看，它可能与你们的市场份额相当，即 HBM 将从今天的较低百分比上升到占美光 DRAM 收入的 20%。你能帮忙量化一下，这种更丰富的产品组合对毛利率的提升会有多大吗？
A：公司不会具体细分，但可以提供一些关于毛利率的轨迹。从第一季度到第二季度毛利率 1% 到 20% 的增长主要是价格驱动的。尽管还有许多其他因素，但价格是这一增长的主要因素。同样，从第二季度实际的 20% 到第三季度指导的 26.5% 中，价格仍然是最大的贡献因素。其中一部分被之前提到的低成本库存好处的减少所抵消。但价格仍是最大的因素。开始加入的是成本下降的恢复以及公司开始看到一些由 Sanjay 提到的产品，包括 HBM，的有利产品组合效应。
进入第四季度，预期毛利率的增长与第二季度到第三季度的水平相当。这将在价格效应、产品组合效应和成本下降之间更加平衡。最值得注意的是，HBM 开始变得更加重要，并将继续进入 2025 年。
Q：你们提到仍然存在一些与遗留制造能力相关的产能利用率费用。这些费用何时会消失？
A：关于产能利用率费用，从第一季度的 1.65 亿美元降至第二季度的不到 5000 万美元。公司认为这些费用在可预见的未来将保持在远低于 50 的低水平，因此不再对此进行评论。这些费用与遗留产能有关。
Q：关于所有关于 HBM 毛利率的问题的后续问题。随着市场上出现更多竞争和产能，（1）你们能否讨论一下 HBM 产品的毛利率走向？（2）当三星开始增加产能，你们的产能上升，所有这些因素叠加时，毛利率何时达到峰值，然后开始下降？
A：关于 HBM 毛利率的展望，公司目前不会在这里做出预测。公司完全专注于增加生产能力，并在 2025 年使 HBM 的位份额与 DRAM 份额保持一致。这将带来更大的盈利机会，但公司目前并不预测 HBM 的未来定价。显然，HBM 在应用中带来巨大价值，新平台对 HBM 的需求增加，而 HBM 一直处于短缺状态，公司已经提到 2024 年和 2025 年的供应已被预订。所有这些因素都预示着 HBM 业务将实现高收入增长和高利润。公司将极度专注于维持纪律，保持资本支出的纪律，维持 HBM 份额目标的纪律，确保整体供应增长与 DRAM 业务份额保持一致。这将是公司继续执行和推动机会发展的关键。
展望 2025 年，公司预见到持续的定价强度、有利的产品组合以及除 HBM 效应外的良好成本下降，所有这些都将贡献于毛利率的扩张。
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