美光（MU.O）于北京时间 2024 年 6 月 27 日早的美股盘后发布了 2024 财年第三季度财报（截止 2024 年 5 月），电话会要点如下：
财报解读请移步《美光：涨价也撑不住厚厚的期待》
一、$ 美光科技.US财报核心信息回顾：
二、美光电话会详细内容
2.1、管理层陈述核心信息：
1）经营亮点：
① 数据中心业务：
a. 第三季度收入环比增长 50% 以上，创历史新高。增长主要得益于 AI 需求的强劲增长
b. 增加了高利润率的 AI 相关产品类别的市场份额，如 HBM、高容量 DIMM 和数据中心 SSD
c. 预计 2024 财年数据中心收入创纪录，2025 财年大幅增长。AI PC 和 AI 智能手机需求以及数据中心 AI 的持续增长，将推动 2025 年创纪录收入
② HBM 产品：
a. 第三财季 HBM3E 出货实现超过 1 亿美元收入
b. 2025 年自然年 HBM 市场份额预计达到与 DRAM 市场份额相当的水平。2024 和 2025 年自然年的 HBM 已售罄，大部分供应的价格已确定
c. 12 层 HBM3E 产品预计在 2025 年大规模生产，HBM4 和 HBM4E 将提供性能和容量增强
③ 手机市场：
a. 2024 年自然年智能手机单位出货量预计低至中个位数增长
b. 领先的智能手机 OEM 发布新 AI 功能，预计加速更换周期
c. Micron 的 LP5X 支持所有 Android Tier 1 客户的 12GB 和 16GB AI 手机，容量增加 50%-100%
④ 汽车和工业市场：
a. 汽车行业收入创季度记录，产量恢复至疫情前水平。智能驾驶舱和高级驾驶辅助功能推动增长
b. 工业市场：尽管需求短期不确定，长期基本面和增长驱动因素强劲，尤其是 AI 应用普及
c. 第三财季推出全球首款支持下一代集中计算架构的多端口 Gen 4 NVMe SSD
⑤ 其他终端市场
PC 市场：2024 年自然年 PC 出货量预计低个位数增长。Windows 10 支持结束、Windows 12 推出及 AI PC 将加速更换周期
AI PC 需求：预计 AI PC 将在 2025 年自然年占总出货量的有意义部分，逐年增长。AI PC 需更高性能和容量 SSD，符合 Micron 基于 232 层 NAND 的高性能 3500 SSD 及 QLC 2500 NVMe SSD 产品
⑥ 技术节点提升：
DRAM 技术：超过 80% 的 DRAM 存储容量产出在领先的 1-alpha 和 1-beta 节点。1-gamma DRAM 试点生产进展顺利，计划在 2025 年实现量产
NAND 技术：超过 90% 的 NAND 存储容量产出在领先的 NAND 节点。下一代 NAND 节点预计在 2025 年实现大规模生产
成本降低：2024 财年 DRAM 前端成本（不包括 HBM）预计降低高单位数百分比，NAND 前端成本预计降低低双位数百分比
2）财务要点：
① 财务表现
收入：总收入 68 亿美元，环比增长 17%，同比增长 82%
DRAM 收入：约 47 亿美元，占总收入的 69%
NAND 收入：约 21 亿美元，环比增长 32%，存储容量出货量增长在高个位数百分比范围内，价格增长约 20%
② 各业务部门收入
计算和网络业务：收入 26 亿美元，环比增长 18%
移动业务：收入 16 亿美元，环比下降 1%，部分被价格改善所抵消
嵌入式业务：收入 13 亿美元，环比增长 16%，得益于汽车收入创纪录
存储业务：收入 14 亿美元，环比增长 50%，所有终端市场均实现增长，数据中心 SSD 收入创纪录
③ 毛利率和运营费用
综合毛利率：28%，环比增长超过 8 个百分点，主要由价格上涨和产品组合优化推动。剔除以前已计提减值的库存影响，环比改善达到 15 个百分点
运营费用：9.76 亿美元，环比增长 1700 万美元，支出纪律和运营效率帮助控制在指引范围的低端
④ 盈利能力
营业收入：9.41 亿美元，营业利润率为 14%，环比增长 10 个百分点，同比去年同期增长 53 个百分点
调整后 EBITDA：29 亿美元，EBITDA 利润率为 43%，环比增长 6 个百分点，同比去年同期增长 30 个百分点或 24 亿美元
非 GAAP 摊薄每股收益：0.62 美元，相比上季度的 0.42 美元和去年同期的每股亏损 1.43 美元
2.2、美光 Q&A 分析师问答
Q: HBM3E 的认证进展如何、与 Nvidia 的 B100 的情况如何？你的竞争对手提到将 HBM4 的时间提前，你对此有何评价？
A: 我们在第三财季实现了超过 1 亿美元的 HBM3E 收入，这对我们的整体毛利率和 DRAM 毛利率都有所提升。我们继续专注于在 2024 财年实现数亿美元的 HBM 收入，并在 2025 财年实现数十亿美元的收入。我们对我们的 HBM 产品和持续提高产量充满信心，这是我们的重要优先事项。任何像 HBM 这样复杂的新产品或新技术节点总会有产量提升的过程，团队对此非常专注。
展望 2025 年，我们仍然对实现我们在 2025 年某个时候与 DRAM 市场份额一致的 HBM 市场份额的目标充满信心。再次强调，美光的 HBM3E 产品已经被客户认可为比竞争对手产品功耗低 30%。
我们预计在 2025 年时间范围内扩大和多样化我们的客户基础。对于 HBM4，我们有一个强大的路线图，并对我们的能力充满信心。我们对我们在 HBM4 和 HBM4E 方面保持技术领先地位充满信心。
Q: 你提到 NAND 的存储容量需求增长将在高个位数范围，上季度你说的是 20% 左右，过去几个月中有什么变化吗？大家都认为 AI 的发展会帮助 NAND 业务，那么为什么 NAND 的存储容量需求增长没有更高呢？
A: 我们这次与上次分享的 CAGR 之间实际上没有太大的区别。这是因为我们这次修订了 CAGR 的基年，使用了 2023 年作为基年。是 2023 年的较大基数，改变了我们对整体 CAGR 的展望。
但你完全正确，我们也强调了数据中心 SSD 是一个良好的需求增长驱动因素。我会给你一些具体数据。数据中心、汽车和工业，这些领域的 NAND 需求增长都快于我们分享的 CAGR。客户端、移动和消费领域的增长稍慢。但是这些慢增长的领域也有平均容量增长的前景。正如我给你的例子，AI PC 和 AI 智能手机在推动内容增长。我们在这方面进行了保守的规划。我们将继续评估智能手机和 PC 中的平均容量增长。
Q: 你提到 HBM 与 D5 的 3 倍晶圆消耗比率。随着堆叠高度的增加和产量的提高对给这个比率带来什么变化？总体而言，2025 年 3 倍仍然是操作假设吗？请具体说明一下这个比率的优缺点。
A: 我认为对于 HBM3E，3 倍是操作指导方针。这已经考虑了 HBM3E 的较大晶圆尺寸，考虑了性能和封装的总体产品预期，以及 8 层堆叠和逻辑芯片的成熟产量预期。随着我们提高产量，当然会从成本下降中受益。但是 HBM3E 的成熟产量比率大约是 D5 的 3 倍。
随着 HBM4 的推进，晶圆消耗比率会增加，超过 3 倍。随着 HBM3E 从 8 层堆叠到 12 层堆叠，12 层堆叠的成熟产量会稍低。这是设备产量工作的本质。但操作指导方针仍然是 HBM3E 的 3 倍，HBM4 超过 3 倍，包括成熟产量的假设。
Q: 你提到 2025 财年可能会创下销售记录，为什么不能创下毛利率记录？明年毛利率的优缺点是什么？比如，销售额同比增长 50 亿或 100 亿美元，从毛利率角度看，如何调整我们的模型？
A: 尽管尚未提供 2025 财年的具体指导，但我们可以讨论逐步改进。第三季度和第四季度之间的毛利率指导增加了 600 个基点，这主要由价格驱动，同时产品组合对毛利率扩展也有实质性影响。11 月季度毛利率继续增加几百个基点，除了价格因素外，第四季度的产品组合增加也起到作用，主要包括 HBM 和高容量 DIMM 等高价值产品。预计 2025 财年价格将继续上涨，产品组合的有利影响也会增加。第三季度和第四季度的数据中心表现强劲，预计这种增长将持续。此外，预计智能手机和 PC 的更换周期以及 AI 相关内容的增加将在 2025 年上半年到初期推动增长。在供应方面，行业内结构性容量较低，库存趋势下降，预计到 2025 财年末库存将接近目标水平。HBM 的贸易比率也会影响毛利率。综合来看，高价值产品组合（包括 HBM、高容量 DIMM、SSD 等）将对毛利率产生积极影响。公司在技术、产品和制造运营方面具有领先优势，为 2025 财年做好了充分准备。
Q: 公司在 HBM3E 上是否有产量问题？HBM 的毛利率对整体公司毛利率有何贡献？对 2025 年下半年和 2025 年度的盈利能力有何看法？
A: 公司在 HBM3E 的产量没有问题，第一季度实现了超过 1 亿美元的收入。预计 2024 财年收入数亿美元，2025 财年收入数十亿美元，2025 年市场份额与 DRAM 一致。产量假设已考虑在内，会持续努力提高产量。HBM 毛利率对整体和 DRAM 毛利率都有贡献。DRAM 毛利率通常高于公司整体毛利率，主要因为 NAND 毛利率较低。HBM 将有助于 2025 年毛利率的持续扩展。
Q: 2025 财年的资本支出大幅增加。考虑到超过一半的资本支出将用于美国的绿地投资，2025 财年或 2025 年自然年的存储容量供应增长预期如何？供应增长是否与 DRAM 和 NAND 的需求 CAGR 一致？
A: 虽然我们不会为 2025 年提供具体收入指导，但可以确认 2025 财年的资本支出将大幅增加。第三季度到第四季度的指导从 21 亿美元增加到 30 亿美元，未来几个季度资本支出将继续增加。供应增长方面，受限于存储容量生产，预计库存水平将下降，到 2025 财年末接近目标库存水平。供应增长将与需求 CAGR 一致。
Q: 关于 2025 财年 HBM 收入的公司指导及市场份额，与 DRAM 一致的 HBM 市场份额预期。如何看待市场供应商的情况？未来几年这一数字是否会发生变化？市场总量的预测方法及其受竞争对手认证情况的影响。
A: 预计HBM 的存储容量增长 CAGR 在未来几年将超过 50%，这是一个强劲的增长驱动因素。未来几年，增加 HBM 的组合将继续对财务表现，包括毛利率，产生积极影响。2025 年的供应已售罄，价格已确定，显示出实现与 DRAM 市场份额一致的 HBM 市场份额目标的强劲地位。计划明年向更广泛的客户群发货。HBM 是一个复杂的产品，客户的认证过程资源密集，不仅限于我们，也包括客户。我们的产品具有 30% 的功耗优势和高质量，已经获得客户认可。认证方面的高参与度使我们对 HBM 计划充满信心。
Q: 你们的竞争对手提到了行业资本支出的运行率，并提到了行业架构的变化可能不像过去那样资本密集。你们谈到了很多资本支出用于绿地和 HBM。请谈谈剩余的资本支出。你们能给我们一些关于 DRAM 和 NAND 分布的详细信息吗？你们是否同意西部数据的观点，即从长远来看，NAND 的资本投资阈值会降低？
A: 公司的资本支出主要集中在与 DRAM 相关的领域，特别是 HBM，因为 HBM 在洁净室、封装和测试设备方面非常资本密集。资本支出主要用于满足本世纪后半叶的未来需求，包括晶圆厂建设。
NAND 的资本支出占总资本支出的比例较小。公司在 NAND 技术上具有强大地位，并持续将产品组合转向更高价值的解决方案。在 NAND 方面，将保持高度纪律，严格控制资本支出，谨慎安排技术节点转型时间，以更好地管理存储容量增长复合年增长率。
这些措施旨在保持良好的供应纪律，使供应增长与需求增长保持一致，并谨慎管理资本支出。总体而言，NAND 方面的资本支出显著较小，但将保持极高的纪律性，确保供应增长与需求相符。对于 NAND 来说，技术转型足以满足需求增长，不需要新的洁净室或绿地晶圆厂，而这些在 DRAM 方面是必需的。HBM 与标准 DRAM 的贸易比率也是需要新建绿地晶圆厂的一个因素。
Q: 签署长期合同是否会错过价格上涨机会？合同价格是否有灵活性？台湾地震对当前季度有何影响？
A: 长期合同有助于与客户在供应和定价讨论方面更紧密合作，同时有助于技术路线图、产品路线图和供应时间安排的协调。长期合同有助于建立与客户的紧密关系，并支持 2025 年创纪录的收入和显著的盈利能力改善。从供应、需求和财务方面看，长期合同使公司定位良好。此外，台湾地震对当前季度没有实质性影响。
长期合同不仅有助于我们和客户在供应或定价讨论方面更紧密合作，也有助于技术路线图、产品路线图和供应时间安排。它们在建立与客户的紧密关系方面非常有帮助。你可以看到，我们指向了 2025 年的创纪录收入，这当然利用了我们已经签署的一些合同。我们还指出了显著的盈利能力改善。我认为我们在这些合同方面定位良好，不仅在供应和需求方面，而且在财务方面。台湾地震对当前季度没有实质性影响
Q: 企业 SSD 毛利率对整体 NAND 毛利率的影响
A: 美光的数据中心 SSD 需求强劲，对整体 NAND 毛利率有增厚作用。公司的 232 层 NAND AI SSD 存储容量出货量增长了三倍，主要用于 AI 数据中心应用。第三季度数据中心产品收入环比增长 50%，包括强大的数据中心 SSD 路线图。
Q: 下一代 PCIe Gen5 SSD 认证及市场份额可持续性
A: 美光与客户合作认证下一代 PCIe Gen5 SSD，目前不讨论具体发货时间。强大的产品组合确保市场份额可持续性。数据中心 SSD 的增长势头将为 2025 年增加数据中心收入做出贡献，包括 HBM 和高密度 DIMM 等产品。存储业务部门在本季度实现了运营利润。
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