全球TMT2020年10月28日，2020年10月24日，主题为“逆风飞扬 芯之所向”的“首届光伏逆变器产业链与新材料应用研讨会”在厦门同安召开，来自全国光伏行业的专家、学者、企业家齐聚鹭岛，共同探讨在疫情导致全球经济“绿色复苏”的宏观经济形势下，以及国家“光伏竞价、光伏平价政策”的推动下，光伏产业链如何逆势增长。
第三代半导体材料碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）在禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度、热导率等方面，和硅及砷化镓等第一、二代半导体材料相比具有显著的优势。碳化硅功率器件，为实现光伏逆变器的“高转换效率”和“低能耗”提供了所需的低反向恢复和快速开关特性。“这对提升光伏逆变器功率密度、进一步降低度电成本是至关重要的，”厦门市三安集成电路有限公司应用工程技术总监叶念慈表示，“采用第三代半导体材料功率器件的光伏逆变器产品，可将峰值转换能效提升至98%以上，助推光伏平价上网。”
从内部测试结果来看，碳化硅MOSFET管开关损耗远低于硅MOSFET，应用碳化硅SBD与硅IGBT的混合功率模块恢复能耗也大大降低。同时更高的工作频率，也能大量减少无源器件数量，从而缩小系统体积30%以上，提升功率密度。第三代半导体优良的导热系数，使其可以在高温下工作，减少了散热系统的尺寸。这也降低了系统的复杂度和维护成本，间接降低产品BOM表和使用成本。
研讨会最后，现场嘉宾充满热情的参观了三安集成位于厦门的中国首条6英寸化合物半导体生产线和第三代半导体生产线；大规模的自动化机台阵列、高标准无尘生产环境，以及训练有素的一线员工为与会嘉宾留下深刻印象。
