截至9：33，上证科创板芯片设计主题指数（950162）跌1.96%，成分股复旦微电涨5.32%，聚辰股份跌4.59%、峰岹科技跌3.26%、新相微跌2.56%、思特威-W跌2.52%、盛科通信-U跌2.5%。
消息面上，三星的存储业务部门已将2031年前约70%的产能分配给长约订单（long-term agreements，简称LTAs），主要签约客户包括英伟达、微软及谷歌等大型科技公司。供应压力正从HBM蔓延至一般DRAM。随着向英伟达等大型科技客户供应的HBM4持续增加，HBM生产吸收大量DRAM产能，进一步推升DRAM价格。目前，三星电子和SK海力士认为存储器短缺问题短期内无法解决，正从多个方面寻求产能扩张。
三星设备解决方案部门管理层正在评估，最快从2027年开始，将平泽园区的晶圆代工产线S5转为存储生产线。另据业内人士透露，SK海力士在扩大了龙仁和湖南地区的生产基地后，也考虑与日本伙伴建立合资工厂。业内人士关注的焦点是，SK海力士可能会扩大与铠侠（Kioxia）的合作。
财信证券认为，供需缺口扩大，存储进入“量利齐升”兑现周期。2026年存储原厂扩产资源集中向高附加值HBM产品倾斜，传统DRAM、NAND闪存有效供给增量有限，行业整体供需缺口持续扩大，合约价格稳步上行，行业进入量利齐升的兑现周期；中长期看，存储产能释放节奏仍偏谨慎，行业有望维持供不应求态势。
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