AI 存储需求持续升温，HBM4 量产进程加速，存储产业链上游也开始迎来新一轮扩张。
AI 算力竞赛的战线，正在从芯片产能向上游材料端延伸。韩国 SK 海力士今年第二季度硅片采购量环比增长 104%，远超韩国另一大存储厂商三星电子，释放出一个明显信号：作为 HBM 领域的领先厂商，SK 海力士正以前所未有的力度锁定原材料供应，为下一代高带宽存储器 HBM4 的大规模量产提前做准备。
据业内消息人士透露，SK 海力士采购量大幅增长主要受到两方面因素推动：一方面，市场预期硅片价格将进一步上涨；另一方面，AI 存储芯片需求增长也促使企业提前增加库存。对于 SK 海力士而言，提前锁定上游材料的核心目的，是平抑未来采购成本波动，同时确保 HBM 及先进 DRAM 产能扩张不会受到材料供应不足的限制。
值得注意的是，本季度 SK 海力士与三星电子在采购策略上出现明显分化。SK 海力士积极增加材料库存，而三星电子则维持相对保守的采购节奏。市场观察人士认为，这一差异反映出两家公司在 AI 存储领域的战略取向不同：SK 海力士正以更积极的姿态推进扩产，以进一步巩固其交付确定性以及在 AI 供应链中的先发优势。
强劲现金流支撑加速扩产
SK 海力士大规模锁定上游材料的底气，来自强劲的财务表现。今年第一季度，SK 海力士营收达到 52.58 万亿韩元（约合 383 亿美元），同比增长 298%；营业利润达到 37.61 万亿韩元（约合 274 亿美元）。公司净利率超过 70%，DRAM 和 NAND 的季度平均销售价格均创下历史新高。
充裕的现金流为此次提前备货提供了充足资金支持。为保障 HBM4 量产，SK 海力士已将 1c DRAM 扩产目标提升至原计划的近两倍，并计划到 2027 年第一季度末，将月产能提升至 17 万至 20 万片晶圆。此外，公司还计划投资 40 亿美元，在美国印第安纳州建设新一代 HBM 封装工厂。
技术研发同样在加速推进。SK 海力士已经完成基于 1c 制程节点的 16GB LPDDR6 芯片开发，在数据处理速度和功耗效率方面均实现明显提升。同时，公司 375 层 NAND 闪存的量产验证也已完成。这款产品首次采用钼替代钨作为字线金属栅材料，预计将在今年年底前开始量产。
罕见接受设备供应商涨价
SK 海力士向上游供应链释放的支持并不局限于材料领域。市场消息显示，SK 海力士近期打破了持续五年的设备采购惯例，不再要求设备供应商降价，而是为核心设备供应商打开价格调整空间，并默许部分一级供应商将价格上调 3% 至 4%。
在 375 层 NAND 生产所需的钼工艺设备方面，SK 海力士最终选择了东京电子（Tokyo Electron）基于炉管的解决方案，而没有采用泛林集团（Lam Research）的单片晶圆处理设备，这也进一步凸显了其对特定工艺设备的高度依赖。从硅片采购量翻倍，到罕见接受设备供应商涨价，SK 海力士的一系列动作揭示出一个更广泛的趋势：在 AI 存储超级周期推动下，半导体资本开支带来的增长红利正在加速向上游材料和核心设备环节传导。
以下表格总结了 SK 海力士近期在材料、设备及技术方面的关键进展：
对于投资者而言，SK 海力士的战略转变释放出一个清晰信号：当一家存储巨头愿意向上游材料和设备供应商让渡更多利润空间时，意味着供应链定价权正在发生结构性变化。下一阶段半导体供应链的变化中，硅片厂商和核心设备供应商的议价能力及盈利弹性，将成为值得重点关注的指标。
*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。
