作者 | 胡青木
12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司发布了关于刊发H股招股说明书、H 股发行价格区间及H股香港公开发售等事宜的公告，标志着这一氮化镓龙头企业的赴港上市之路又向前迈出了坚实的一步。作为行业内首个实现8英寸硅基氮化镓晶圆大规模生产的公司，英诺赛科此次上市备受业界关注。
英诺赛科专注于氮化镓功率器件的创新研发、生产制造和市场销售，并提供全面的技术解决方案。公司的产品线覆盖汽车电子、数据中心、消费电子等多个高端应用领域，体现了氮化镓作为第三代半导体材料在功率电子和射频技术领域的革命性优势，包括其高功率密度、低损耗和广泛的适用性。据弗若斯特沙利文数据显示，2023年全球氮化镓功率半导体器件市场规模达到18亿元人民币，同时，沙利文预测，后续将以98.5%的复合年增长率加速增长，由2024年的32.28亿元人民币增长至2028年的501.42亿元人民币。
这一增长趋势得益于氮化镓在各前沿领域日益增长的高频大功率需求，未来随着生产工艺的成熟和规模化生产的推广，氮化镓的普及率将进一步提升，推动整个产业链的进步。
在财务表现方面，尽管英诺赛科目前尚未实现扭亏，但公司的盈利能力正在显著改善。2024年上半年，公司净亏损额约为4.88亿元人民币，较去年同期减少了15.8%，显示出公司财务状况的稳步好转。同时，公司在过去几年中营收增长迅猛，从2021年的6820万元增长至2023年的5.93亿元，涨幅超7倍。
据市场消息透露，英诺赛科此次赴港上市，预计筹集资金在1.5亿至2亿美元之间，募集到的这笔资金将主要用于扩大产能、研发及扩大产品组合、分销网络扩展和补充营运资金等。
随着上市进程的推进，英诺赛科预计将借助资本市场的东风，开启新的增长周期，并为公司的持续发展和行业创新打下坚实的基础。
