2025年以来，全球存储芯片市场呈现强劲的涨价态势。根据CFM闪存市场数据，2025年第三季度DRAM市场综合价格指数上涨19.2%，NAND Flash市场综合价格指数上涨5%。从月度数据看，9月单月NAND Flash上涨4.7%，已超过DRAM的2.6%月度涨幅，显示出涨价趋势的全面性。
不同产品类别价格涨幅分化：DDR4产品：价格在不到一个月内累计上涨接近30%，半年累计涨幅超过200%DDR5产品：16G（2Gx8）价格达到7.68美元，单月现货价涨幅达28%，为2025年以来单月最大涨幅LPDDR4/LPDDR5：第三季度价格环比分别上涨10%-15%/38%-43%NOR Flash：9月进入明显涨价周期，第四季度有望调升至双位数百分比涨幅，可能延续至2026年从全年视角看，2025年DRAM价格指数同比上涨47.7%，NAND Flash上涨9.2%，行业盈利显著修复。多家国际巨头相继宣布涨价计划，三星电子9月下旬通知客户第四季度将部分DRAM价格上调15%-30%，NAND闪存价格上调5%-10%。美光科技也通知客户价格将上涨20%-30%，并一度暂停报价。
涨价可持续性核心逻辑：供给端扩产受限：新建晶圆厂需数百亿美元投资，投产周期长达2-3年，主要厂商新增产能要到2028年后才会释放需求端持续增长：AI数据中心建设加速，2025年全球AI数据中心建设速度加快，仅国内就有15个超算中心开工，对高规格存储芯片的需求同比增长200%技术迭代推动价值升级：HBM、3D NAND等新技术的应用提升了产品价值，使存储芯片从"纯周期品"向"周期+成长"属性切换
存储芯片行业正迎来由AI革命驱动的"超级周期"，在供需格局重塑、库存周期见底、技术升级等多重因素推动下，行业景气度有望持续至2026年甚至2027年。国内存储芯片产业链公司在这一历史性机遇中具备显著的投资价值。
主要风险提示
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