本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 17 日消息，天眼查知识产权信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“单晶生长方法及系统“，公开号 CN202410856485.8 ，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本申请提供了单晶生长方法及系统，该方法包括：在转肩过程中，获取单晶肩部的测量直径；根据测量直径和目标直径之间的差值所在的数值范围，确定控制参数集及其配置参数值；控制参数集包括拉速和/或加热功率，不同的数值范围对应的控制参数集不同；基于控制参数集的配置参数值，自动配置相应的控制参数，以使单晶转肩至目标直径。本申请降低了因人为错误导致的生产事故和不良品率，实现从 shoulder 阶段到 body 阶段的平缓过渡，减少因转肩较大引起的测量模块信号不良导致长晶失败的情况，采用梯级主动增益的计算逻辑，基于差值所在的数值范围，精确控制转肩过程中的控制参数，提高生长效率。
