本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其版图结构“，公开号 CN202411132293.9，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其版图结构，其中在所述半导体器件的版图结构中，在离子补打区在第二方向上的长度大于或者等于预设值时，将离子补打区设置在浅沟槽隔离结构中并贴齐浅沟槽隔离结构与有源区在第二方向上的交界处；在离子补打区在第二方向上的长度小于预设值时，离子补打区从浅沟槽隔离结构中穿过浅沟槽隔离结构与有源区在第二方向上的交界处延伸进有源区中。因此本发明在离子补打区在第二方向上的长度比较短时，可以通过将离子补打区延伸进有源区中来增加有源区与浅沟槽隔离结构的交界处的离子浓度，以解决半导体器件的双峰问题。
