本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海纳矽微电子有限公司申请一项名为“一种压力传感器、封装结构、制作方法以及电子设备”的专利，公开号CN 118913490 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明的实施例公开了一种压力传感器、封装结构、制作方法以及电子设备。其中压力传感器包括基底，基底包括力敏感膜和支撑体，支撑体包括应力缓冲区和连接区，力敏感膜位于支撑体的上表面的部分区域，在垂直于基底的厚度方向的平面上，应力缓冲区环绕力敏感膜，连接区至少设置于应力缓冲区的一侧，并与应力缓冲区连接，基底还包括有背腔，背腔位于力敏感膜的下方。本申请公开的压力传感器，在封装时通过连接区与封装结构主体连接，应力缓冲区和力敏感膜悬空设置。当封装结构因外部因素产生应力时，应力缓冲区能够有效地分散和吸收外部应力，减小应力直接传递到力敏感膜的几率，从而保护力敏感膜。
