本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119031694 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成沿垂直衬底方向堆叠的目标层、第一阻挡层及牺牲层；牺牲层包括间隔设置的多个牺牲图案；牺牲图案包括沿垂直衬底方向堆叠的图案化牺牲层及第二阻挡层；于牺牲图案的顶面和侧壁及第一阻挡层上随形覆盖掩膜材料层；去除牺牲图案顶面上的掩膜材料层；去除第二阻挡层，并同步去除相邻牺牲图案之间间隔内位于图案化牺牲层侧壁之外的掩膜材料层；去除图案化牺牲层，获得间隔排列的多个掩膜侧墙。该半导体结构的制备方法可以使位于第一阻挡层上的掩膜侧墙严格地垂直于衬底，具有较好的对称性，有利于提升半导体结构的生产良率以及使用可靠性。
