本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119031699 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、第一栅极结构、沟道层、源极/漏极结构和缓冲层。其中，第一栅极结构位于衬底的顶面；沟道层位于第一栅极结构沿第一方向远离衬底的一侧；源极/漏极结构位于沟道层沿第二方向的相对两侧；缓冲层位于沟道层沿第二方向的相对两侧，且位于沟道层与源极/漏极结构之间；其中，第一方向与第二方向相交。上述结构能够减小器件的损伤、减小接触电阻并提升器件的使用寿命，进而提升半导体器件的整体性能。
