本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，南京优存科技有限公司取得一项名为“非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路”的专利，授权公告号 CN 222071552 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路，非易失性存储芯片包括原始存储阵列、译码器模块和参考电流模块；原始存储阵列包括若干个第一存储单元；译码器模块用于在若干个第一存储单元中选中用于读操作的目标存储单元；漏电流补偿电路包括补偿存储阵列，补偿存储阵列包括若干个第二存储单元；漏电流补偿电路用于在对目标存储单元执行读操作时，对目标存储单元所处位线上的第一漏电流进行补偿。本公开的漏电流补偿电路结构简单且易于实现，补偿电流的温度特性与原始存储阵列的真实漏电流相适配，无论高低温操作时，都能达到相适配的补偿效果，能够及时、有效且可靠的对未选中cell的漏电流进行补偿，提高了非易失性存储芯片的可靠性。
