武汉光迅申请优化长距光模块灵敏度、消光比和EMI的专利,保障EMI合格优化各温度下光模块性能

武汉光迅申请优化长距光模块灵敏度、消光比和EMI的专利,保障EMI合格优化各温度下光模块性能
2024年12月19日 16:36 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月19日消息,国家知识产权局信息显示,武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“优化长距光模块灵敏度、消光比和EMI的方法、装置及系统”的专利,公开号 CN 119135255 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明涉及一种优化长距光模块灵敏度、消光比和EMI的方法、装置及系统。其方法部分主要包括:在不同温度处对光模块的输出灵敏度进行探测,根据在不同温度处的灵敏度偏移对voff电压进行补偿调节;补偿调节voff电压后,根据不同温度处的光功率偏移对偏流进行补偿调节;在不同温度处对光模块的输出消光比进行探测,根据在不同温度处的消光比偏移对Vmod电压进行补偿调节;在不同温度处对光模块的EMI进行探测,若EMI不合格,对Vmod电压进行补偿调节,若对Vmod电压多次补偿调节后EMI不合格,对RX幅值电压以及RX预加重电压进行补偿调节,以使光模块的灵敏度、消光比和EMI均合格。本发明可以在保障EMI合格的情况下,来优化各温度下光模块灵敏度、消光比到最优值。

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